志村考功
学歴
1987年 名古屋大学工学部応用物理学科 卒業
1989年 名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻修士課程 修了
1992年 名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻博士後期課程 単位取得満期退学
1993年 名古屋大学大学院工学研究科 博士（工学）取得
職歴
1991－1992年 日本学術振興会 特別研究員（DC2）
1993－2007年 大阪大学工学部（助手）
2007－2024年 大阪大学大学院工学研究科（准教授）
2024年－ 早稲田大学理工学術院情報生産システム研究科 教授（任期付）
研究内容
志村研究室では、半導体デバイス材料工学を基盤に、将来の情報通信やエネルギー利用を支える新しい半導体材料・デバイスの研究に取り組んでいます。私たちの研究室の特色は、結晶成長や材料評価などの基礎研究から、社会実装を見据えたデバイス応用までを一貫して扱う点にあります。材料科学に関心のある学生はもちろん、将来の技術開発やものづくりに携わりたい学生にとっても、幅広く学べる研究室です。研究テーマは主に以下の3つです。
1つ目は、GeやGeSnなどのIV族半導体を用いた低消費電力光電子融合デバイスの研究です。電子と光の機能を融合することで、高速通信、量子情報、バイオセンシング、高速イメージセンサなど、次世代技術への応用を目指しています。2つ目は、SiCなどのワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスに向けた結晶評価です。X線トポグラフィなどの手法により結晶中の欠陥を詳細に解析し、高性能かつ高信頼性デバイスの実現に貢献します。3つ目は、Ge系材料を用いた熱電デバイスの研究です。未利用熱を電気に変換する技術に着目し、高性能材料の創製と新しいデバイス構造の開発を進めています。
半導体や材料に関心があり、基礎から応用まで幅広く学びながら、新しい技術を通じて社会に貢献したい学生にとって、挑戦しがいのある研究室です。
