渡邉孝信 教授
Takanobu Watanabe
大学院専攻:
ナノ理工学専攻
電子物理システム学専攻


シリコン酸化膜とシリコン基板の界面の大規模原子モデル

1995年 早稲田大学理工学部電子通信学科卒業
1997年 同大学院理工学研究科修士課程修了
1999年 同大学院博士後期課程修了 博士(工学)
●職歴
1997年-2003年 日本学術振興会 特別研究員
2003年-2005年 早稲田大学理工学研究科講師
2003年-2007年 科学技術振興機構さきがけ研究員(兼任)
2005年- 早稲田大学理工学術院助教授
2006年 南カリフォルニア大学客員教授(兼任)
●受賞
井上研究奨励賞(2000年)

[研究内容]
独自に開発した大規模分子動力学シミュレーション手法を用いて、半導体表面や界面で起こる諸現象を研究しています。また今後は、走査型トンネル顕微鏡による半導体表面改質過程の観察を皮切りに、実験研究にも挑戦する予定です。内容は物性物理の基礎研究に近いですが、最先端の半導体エレクトロニクスにおける重要課題からテーマを選定しており、常に応用を意識して研究に取り組んでいます。現在、エレクトロニクス材料開発の最前線では、周期律表全体を視野に入れた広範な材料探索が行われています。また、無機、有機、生体分子といった物質の分類の垣根が取り払われ、異分野の知識と技術の相乗効果で、新たな応用が続々と誕生しています。こうした時代のニーズに応える、新しい計算科学的手法を構築することを、当研究室の大きな目標の一つに掲げています。